Лабораторная «Опытное определение параметров полупроводниковых приборов»,
Электротехника в Челябинске

Необходимо исследовать следующие три полупроводниковых прибора: 1) кремниевый диод, 2) биполярный транзистор, 3) полевой транзистор с управляющим p-n-переходом. 1. Для каждого полупроводникового прибора снять ВАХ: для кремниевого диода — ВАХ в прямой и обратной областях, для биполярного транзистора — семейства входных, выходных и сквозную ВАХ, для полевого транзистора с управляющим p-n-переходом семейство выходных ВАХ и сквозную (передаточную) ВАХ. 2. В выбранной рабочей точке на ВАХ каждого прибора определить с помощью графических построений и расчетов основные свойственные данному прибору параметры. Подготовить отчет по работе: 1. Цель лабораторной работы. 2. Последовательно для каждого прибора привести следующие сведения: а) электрическую схему опыта и окно установок, с помощью которых пакет MicroCap11 рассчитывает и выводит на рабочий стол ВАХ изучаемого прибора, б) графики ВАХ изучаемого прибора с удобными масштабными сетками по осям x и y, в) указание положения рабочей точки на ВАХ, в которой определяются статические и динамические параметры прибора, г) необходимую графическую и текстовую информацию на ВАХ д) численные расчеты каждого параметра в формате: формула, численные значения величин, численный результат с указанием размерности. Вывод о корректности расчета (соответствия практическим численным рамкам для данного параметра), суждение о свойствах изучаемого прибора, касающихся мощности, напряжения, тока, эффективности усилительных свойств и прочее/